Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
BCR 108T E6327
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
BCR 108T E6327-DG
Popis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 170 MHz 250 mW Surface Mount PG-SC75-3D
Inventář:
Poptejte online
12840178
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BCR 108T E6327 Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé, předpřetížené bipolární tranzistory
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ tranzistoru
NPN - Pre-Biased
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100 mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50 V
Rezistor - Báze (R1)
2.2 kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
47 kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 5mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
100nA (ICBO)
Frekvence - přechod
170 MHz
Výkon - Max
250 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SC-75, SOT-416
Balíček zařízení dodavatele
PG-SC75-3D
Základní číslo výrobku
BCR 108
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
BCR108
Technické listy
BCR 108T E6327
HTML Datový list
BCR 108T E6327-DG
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
BCR108TE6327
BCR108TE6327XT
SP000012799
BCR 108T E6327-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
DTC123JCAT116
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
366
DiGi ČÍSLO DÍLU
DTC123JCAT116-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.02
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
DDTC123JCA-7-F
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
411469
DiGi ČÍSLO DÍLU
DDTC123JCA-7-F-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.02
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
DTC123JKAT146
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
154870
DiGi ČÍSLO DÍLU
DTC123JKAT146-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.02
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
MUN2235T1G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
8817
DiGi ČÍSLO DÍLU
MUN2235T1G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.02
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
PDTC123JT,235
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
100681
DiGi ČÍSLO DÍLU
PDTC123JT,235-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.01
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
BCR 108 B6327
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
MUN2137T1G
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
MUN5137T1G
TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
DTC143EM3T5G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723